[发明专利]一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件有效
| 申请号： | 201510118906.8 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106033776B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，VDMOS器件，包括：第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底第一表面的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层内第一浓度的第二导电类型体区；位于第一浓度的第二导电类型体区内的第一导电类型源区；位于第一导电类型外延层上的第一氧化层；位于第一氧化层上的氮化硅层，氮化硅层经刻蚀形成接触孔；位于接触孔内第二浓度的第二导电类型体区；位于氮化硅层上的多晶硅层；位于氮化硅层和多晶硅层上的第二氧化层；位于第二浓度的第二导电类型体区和第二氧化层上的第一金属层；位于第一导电类型衬底第二表面的第二金属层。本方案解决了由于VDMOS器件的制作流程涉及接触孔的光刻而导致元胞集成度较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在位于第一导电类型衬底的第一表面的第一导电类型外延层上依次生成第一氧化层和氮化硅层；在所述氮化硅层上生成多晶硅栅极；在所述第一导电类型外延层内形成第一浓度的第二导电类型体区，且所述第一浓度的第二导电类型体区与所述第一氧化层相接触；在所述第一浓度的第二导电类型体区内形成第一导电类型源区，且所述第一导电类型源区与所述第一氧化层相接触；在所述多晶硅栅极的表面生成第二氧化层；对外露的所述氮化硅层进行刻蚀，进而形成第二浓度的第二导电类型体区；在所述第二氧化层以及第二浓度的第二导电类型体区的基础上生成第一金属层；在所述第一导电类型衬底的与所述第一表面相对的第二表面上生成第二金属层；其中，所述第一浓度的第二导电类型体区的第二导电类型离子浓度小于所述第二浓度的第二导电类型体区的第二导电类型离子浓度。
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