[发明专利]一种基于TiN层间掺杂的透明导电氧化物薄膜有效
| 申请号： | 201510117664.0 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104835554B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 叶辉;张诗雨;方旭 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 沈自军 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于TiN层间掺杂的透明导电氧化物薄膜，包括衬底，所述衬底上由下至上依次生长有下透明导电层、夹层和上透明导电层，所述的下透明导电层和上透明导电层为透明导电氧化物层，所述夹层为TiN层。本发明通过在传统TCO膜层中掺杂TiN薄膜(即夹层)的方式，增大了薄膜的载流子浓度，提高了载流子迁移率，改变了薄膜的光学性能，从而使得薄膜在近红外波段能够与介质匹配，产生等离子体共振，因此能够应用于近红外波段的光学器件领域，且TiN来源丰富，价格低廉，有利于进行商业推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tin 掺杂 透明 导电 氧化物 薄膜 | ||
【主权项】：
一种基于TiN层间掺杂的透明导电氧化物薄膜，包括衬底，其特征在于，所述衬底上由下至上依次生长有下透明导电层、夹层和上透明导电层，所述的下透明导电层和上透明导电层为透明导电氧化物层，所述下透明导电层的厚度为30nm；所述夹层为TiN层，所述夹层的厚度为2～20nm。
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