[发明专利]用于从晶体硅主体移除晶体原生颗粒的方法有效
| 申请号： | 201510116886.0 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934297B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策;P·伊尔西格勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于从晶体硅主体中移除晶体原生颗粒的方法，该晶体硅主体具有相对的第一表面和第二表面，该方法包括增加该第一表面和该第二表面中的至少一个的表面区域。该方法进一步包括在至少1000℃的温度下和持续至少20分钟的时长氧化所增加的表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体 主体 原生 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种用于从晶体硅主体移除晶体原生颗粒的方法，所述晶体硅主体具有相对的第一表面和第二表面，所述方法包括：通过在所述第一表面和所述第二表面中的至少一个表面上形成多晶硅层，来增加所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个表面的表面区域，其中所述多晶硅层的表面粗糙度大于所述晶体硅主体的所述第一表面和所述第二表面中的所述至少一个表面的粗糙度；以及以至少1000℃的温度和持续至少20分钟的时长氧化所增加的表面区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
