[发明专利]封装件及封装件的形成方法有效
| 申请号： | 201510114778.X | 申请日： | 2015-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106033751B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 余振华;叶德强;苏安治 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明讨论了多个封装件及封装件的形成方法。根据实施例，封装件包括被密封剂至少横向密封的处理器管芯、被密封剂至少横向密封的存储器管芯和密封剂上的再分布结构。处理器管芯通过再分布结构与存储器管芯通信连接。根据又一个实施例，存储器管芯可包括作为处理器管芯的缓存的存储器，并且存储器管芯可包括动态随机存取存储器(DRAM)。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装件，包括：处理器管芯，通过密封剂至少横向密封，所述处理器管芯包括位于所述处理器管芯的有源侧上的多个第一管芯连接件和多个第二管芯连接件，其中，所述多个第一管芯连接件具有第一间距并且位于所述处理器管芯的有源侧的第一区域中，并且所述多个第二管芯连接件具有第二间距并且位于所述处理器管芯的有源侧的第二区域中，其中，所述第二间距小于所述第一间距；存储器管芯，通过所述密封剂至少横向密封；以及再分布结构，位于所述密封剂上，所述处理器管芯通过所述再分布结构与所述存储器管芯通信连接。
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