[发明专利]环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器

摘要

环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术缺乏腔内空心发光的垂直腔面发射半导体激光器。本发明其特征在于，上电极、氧化物限制层的形状为内径相同的环形，所述环形的宽度为3～5μm，所述环形的外径为115～125μm；欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区层叠在一起构成一个空心圆柱，该空心圆柱的外径与所述环形的外径相同，该空心圆柱的内径为85～95μm；在所述空心圆柱中有高阻区，高阻区的底面与下分布布拉格反射镜接触，高阻区的顶面的高度高于上分布布拉格反射镜的内镜面、低于上分布布拉格反射镜的外镜面。该激光器的谐振腔呈环柱形，出射光成为空心激光束。

主权项

一种环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器，自上而下依次是上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8)；上电极(1)、氧化物限制层(4)的形状为内径相同的环形，所述环形的宽度为3～5μm，所述环形的外径为115～125μm；欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)以及有源增益区(5)层叠在一起构成一个空心圆柱，该空心圆柱的外径与所述环形的外径相同，该空心圆柱的内径为85～95μm；其特征在于，在所述空心圆柱中有高阻区(9)，高阻区(9)的底面与下分布布拉格反射镜(6)接触，高阻区(9)的顶面的高度高于上分布布拉格反射镜(3)的内镜面、低于上分布布拉格反射镜(3)的外镜面。