[发明专利]低温原位生长纳米结构半导体金属氧化物的方法及应用

摘要

本发明公开一种低温原位生长纳米结构半导体金属氧化物的方法及应用。它是通过静电纺丝法在基底上沉积含有无机盐溶液的聚合物纳米纤维，随后将其进行水热处理，使得包含于聚合物纳米纤维中的无机盐原位转化为与基底结合紧密，具有纳米结构的半导体金属氧化物。本发明具有设备简单、步骤简便、能耗低、无需高温热处理，可在相对低的温度下，低于180℃，实现在不同基底上原位获得半导体金属氧化物纳米材料等优点，可用于以聚合物为基底的柔性半导体金属氧化物器件的制备，并可进一步方便地实现半导体金属氧化物纳米材料与有机高分子的良好复合，制备有机/半导体金属氧化物纳米复合材料和器件，在纳米光电器件领域具有良好的应用前景。

主权项

1.一种低温原位生长纳米结构半导体金属氧化物的方法，其特征在于：包括静电纺丝和水热处理两个步骤，采用静电纺丝法在基底上沉积含有半导体氧化物前驱体的纳米纤维，然后通过水热处理，在压力和温度的作用下，将其转化为在基底上原位生长的纳米结构半导体金属氧化物；具体包括如下步骤：1) 配制半导体金属氧化物前驱体和助纺剂的混合溶液得到纺丝液，将纺丝液通过静电纺丝的方法形成纳米纤维沉积到基底表面后，自然晾干；2) 所述步骤1) 中所制得的沉积有纳米纤维的基底通过水热处理，获得在基底上原位生长的具有纳米结构的半导体金属氧化物；步骤2）中所述水热处理温度为120~180℃；水热处理时间为6~24 h。