[发明专利]具有嵌入纳米线LED的LED器件

摘要

本发明描述了一种纳米线器件和一种形成准备好拾取并转移到接收衬底的纳米线器件的方法。在实施例中，所述纳米线器件包括基底层和多根纳米线，所述多根纳米线在所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面突出。封装材料侧向围绕所述纳米线器件中的所述多根纳米线，使得所述纳米线嵌入在所述封装材料内。

主权项

一种纳米线器件，包括：基底层，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面具有1至100μm的最大侧向尺寸；多根纳米线，所述多根纳米线位于所述基底层的所述第一表面上并远离所述基底层的第一表面地突出；其中每根纳米线包括芯、壳、以及位于所述芯和所述壳之间的有源层；封装材料，所述封装材料侧向地围绕所述多根纳米线，使得所述多根纳米线嵌入在所述封装材料中；顶部电极层，所述顶部电极层位于所述基底层的与所述第一表面相对的所述第二表面上并且与每根纳米线的所述芯电接触；和底部电极层，所述底部电极层与每根纳米线的所述壳电接触。