[发明专利]背照式TDI图像传感器及其电子快门控制方法有效
申请号: | 201510111711.0 | 申请日: | 2015-03-14 |
公开(公告)号: | CN104716151B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 艾格尼丝·克莱曼;阿德里·米尔普;周泉;王欣洋 | 申请(专利权)人: | 长春长光辰芯光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/761;H04N5/353 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 王淑秋 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及一种背照式TDI图像传感器及其电子快门控制方法,该传感器包括衬底,制备于衬底上的沟道,以及制备于沟道上的呈行列排布的栅极;所述衬底内包含沿栅极列向间隔排布的阻隔层;阻隔层与衬底的接触面形成PN结;阻隔层上方为存储栅极区,相邻阻隔层间隔处上方为积分栅极区,存储栅极区与积分栅极区之间为隔离栅极区。通过时序控制,使得积分时间内收集并累加的电荷作为有效电荷被读出,而在存储时间内,阻隔层之下产生的电荷通过漂移或扩散效应进入栅极之下的相邻电荷收集区内,不会被积累成为有效的信号电荷。本发明通过在衬底内间隔排布阻隔层的方法减小积分时间,能够有效降低运动模糊效应。 | ||
搜索关键词: | 背照式 tdi 图像传感器 及其 电子 快门 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种背照式TDI图像传感器,包括衬底(101),制备于衬底(101)上的沟道(102),以及制备于沟道(102)上的呈行列排布的栅极;其特征在于所述衬底(101)内包含沿栅极列向间隔排布的阻隔层(103);阻隔层(103)与衬底(101)的接触面形成PN结,且阻隔层(103)中心区域掺杂浓度ηb≥1000ηs,ηs为衬底掺杂浓度;阻隔层(103)上方的栅极区为存储栅极区,相邻阻隔层间隔处上方的栅极区为积分栅极区,存储栅极区与积分栅极区之间的栅极区为隔离栅极区;存储栅极区、积分栅极区、隔离栅极区均至少包含一行栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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