[发明专利]加热腔室及半导体加工设备有效
申请号: | 201510109305.0 | 申请日: | 2015-03-12 |
公开(公告)号: | CN106033734B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 贾强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种加热腔室及半导体加工设备。该加热腔室包括片盒、环形加热装置和反射筒,片盒用于在竖直方向上间隔承载多个被加工工件,环形加热装置套置在片盒的外侧,用以同时加热多个被加工工件,反射筒套置在环形加热装置的侧壁外侧,并且反射筒的内侧壁上包括与每个被加工工件对应的环形反射区,每个环形反射区的反射率和与之对应的被加工工件的温度具有反相关关系,用以提高多个被加工工件的加热均匀性。本发明提供的加热腔室及半导体加工设备,可以提高多个被加工工件的加热均匀性,从而可以提高工艺结果的均匀性,进而可以提高工艺质量和经济效益。 | ||
搜索关键词: | 加热 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种加热腔室,包括片盒和环形加热装置,所述片盒用于在竖直方向上间隔承载多个被加工工件,所述环形加热装置套置在所述片盒的外侧,用以同时加热多个所述被加工工件,其特征在于,还包括反射筒,所述反射筒套置在所述环形加热装置的侧壁外侧;并且所述反射筒的内侧壁上包括与每个被加工工件对应的环形反射区,每个所述环形反射区的反射率和与之对应的所述被加工工件的温度具有反相关关系,用以提高多个被加工工件的加热均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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