[发明专利]上电保护电路和电子设备有效

专利信息
申请号: 201510107348.5 申请日: 2015-03-11
公开(公告)号: CN104702257B 公开(公告)日: 2017-08-04
发明(设计)人: 郑晓一;卢煜旻;石雯;杨澄思 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 代理人: 刘元霞
地址: 201800 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请提供一种上电保护电路,尤其涉及一种电源管理模块的上电保护电路,该上电保护电路可以为一级或多级保护电路,该保护电路包括电压输入端,电压输出端,以及接地端,在所述电压输入端和接地端之间依次连接有第一电容C1和第一电阻R1;由第一PMOS晶体管M1、第二电阻R2、第一二极管串组成的并联电路连接在所述电压输入端和电压输出端之间,其中所述第一PMOS晶体管M1的源极与所述电压输入端连接,漏极与所述电压输出端连接,栅极连接于所述第一电容C1和第一电阻R1之间,在所述接地端和电压输出端之间连接有一负载,本申请上电保护电路具有易于实现、占用芯片面积小、可靠性高、动态范围宽等特点。
搜索关键词: 保护 电路 电子设备
【主权项】:
一种上电保护电路,其特征在于:该上电保护电路包括第一级保护电路,该第一级保护电路包括电压输入端,电压输出端,以及接地端,在所述电压输入端和接地端之间依次连接有第一电容C1和第一电阻R1;由第一PMOS晶体管M1、第二电阻R2、第一二极管串组成的并联电路连接在所述电压输入端和电压输出端之间,其中所述第一PMOS晶体管M1的源极与所述电压输入端连接,漏极与所述电压输出端连接,栅极连接于所述第一电容C1和第一电阻R1之间,在所述接地端和电压输出端之间连接有一负载,该上电保护电路为多级保护电路,其中第二级保护电路包括依次连接于所述电压输入端和接地端之间的第二电容C2和第三电阻R3,串联连接的第二二极管串和第二PMOS晶体管M2连接在所述电压输入端和电压输出端之间,所述第二PMOS晶体管M2的源极与第二二极管串连接,漏极与所述电压输出端连接,栅极连接于所述第二电容C2和第三电阻R3之间。
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