[发明专利]阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置

摘要

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置。所述阵列基板包括基板(1)，在基板(1)上同层设置的有源层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、像素电极(5)；位于有源层(2)上的栅极绝缘层(6)；位于栅极绝缘层(6)上的栅极(7)；有源层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、像素电极(5)、栅极绝缘层(6)和栅极(7)通过一次构图工艺形成，源电极(3)通过有源层(2)与漏电极(4)连接。本发明的阵列基板解决了现有技术阵列基板的结构较为复杂、制作工艺较多、生产效率低、成本较高等技术问题，可代替现有的阵列基板，应用于显示技术领域中。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上依次层叠制作半导体金属氧化物薄膜、栅极绝缘薄膜、栅极薄膜；通过一次构图工艺，将所述半导体金属氧化物薄膜形成包含有源层以及位于像素电极区域、源电极区域、漏电极区域的图形，将所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形，将所述栅极薄膜形成包含栅极的图形；所述源电极通过所述有源层与所述漏电极连接；将所述位于像素电极区域、源电极区域和漏电极区域的图形进行导体化，形成像素电极、源电极和漏电极；所述形成像素电极、源电极和漏电极之后还包括：制作覆盖所述像素电极、源电极、漏电极、栅极的层间介质薄膜，通过一次构图工艺将所述层间介质薄膜形成包含过孔的层间介质，所述过孔对应所述源电极；制作覆盖所述过孔的数据线薄膜，通过一次构图工艺将所述数据线薄膜形成包含数据线的图形，所述数据线通过所述过孔与所述源电极连接；其中，所述通过一次构图工艺，将所述半导体金属氧化物薄膜形成包含有源层以及位于像素电极区域、源电极区域、漏电极区域的图形，将所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形，将所述栅极薄膜形成包含栅极的图形，包括以下步骤：在所述栅极薄膜上涂覆光刻胶；通过半色调掩膜板对光刻胶进行一次曝光、显影，使得光刻胶形成半保留光刻胶区域、全保留光刻胶区域和全去除光刻胶区域，所述半保留光刻胶区域包括源电极区域、漏电极区域和像素电极区域，所述全保留光刻胶区域包括栅极区域，除半保留光刻胶区域、全保留光刻胶区域之外的区域为全去除光刻胶区域；刻蚀掉全去除光刻胶区域对应的栅极薄膜、栅极绝缘薄膜和半导体金属氧化物薄膜；通过第一次灰化工艺，去除半保留光刻胶区域的光刻胶，且去除全保留光刻胶区域的部分光刻胶；刻蚀掉所述半保留光刻胶区域对应的栅极薄膜和栅极绝缘薄膜，以便由所述栅极薄膜形成包含栅极的图形，由所述栅极绝缘薄膜形成包含栅极绝缘层的图形；通过光刻胶剥离工艺，去除所述全保留光刻胶区域的光刻胶。