[发明专利]半导体发光元件以及发光装置在审
| 申请号： | 201510101285.2 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105990490A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 冈本伦太郎;布谷伸仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种抑制光强度下降的半导体发光元件以及发光装置。实施方式的半导体发光元件包括：半导体衬底，包含：第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、及与所述第一面及所述第二面相连的第三面；第一光反射膜，覆盖所述半导体衬底的所述第三面的至少一部分；以及积层体，设置在所述半导体衬底的所述第二面侧，包含：第一半导体层、第二半导体层、及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于包括：半导体衬底，包含：第一面、与所述第一面为相反侧的第二面、及与所述第一面及所述第二面相连的第三面；第一光反射膜，覆盖所述半导体衬底的所述第三面的至少一部分；以及积层体，设置在所述半导体衬底的所述第二面侧，包含：第一半导体层、第二半导体层、及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510101285.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光模块、照明设备和制造发光模块的方法
- 下一篇：半导体发光元件
