[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510101196.8 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105990411A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 末代知子;小仓常雄;田中文悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置，包含：第1电极；第1导电型的第1半导体层，设置在第1电极的上方；第2电极；第2导电型的第2半导体层，设置在第1区域内、且第1电极上；第2导电型的第3半导体层，设置在第1区域内、且第1半导体层上；第1导电型的第4半导体层，选择性地设置在第3半导体层上；栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在第1半导体层、第3半导体层、及第4半导体层内；第1导电型的第5半导体层，设置在与第1区域相邻的第2区域内、且第1电极上；第2导电型的第6半导体层，设置在第2区域内、且第1半导体层上；及第2导电型的第7半导体层，具有位于比栅极绝缘膜及第6半导体层的底部更靠第1电极侧的底部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：第1电极；第1导电型的第1半导体层，设置在所述第1电极的上方；第2电极，设置在所述第1半导体层的上方；第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1电极与所述第1半导体层之间的第1区域内；第2导电型的第3半导体层，设置在所述第2电极与所述第1半导体层之间的所述第1区域内；第1导电型的第4半导体层，选择性地设置在所述第3半导体层上；栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设置在所述第1半导体层、所述第3半导体层、及所述第4半导体层内；第1导电型的第5半导体层，设置在与所述第1电极和所述第1半导体层之间的与所述第1区域相邻的第2区域内；第2导电型的第6半导体层，设置在所述第2电极与所述第1半导体层之间的所述第2区域内；及第2导电型的第7半导体层，位于所述第1半导体层及所述第6半导体层内，且包括底部，所述底部位于比所述栅极绝缘膜及所述第6半导体层的底部更靠所述第1电极侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510101196.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电机及其定子
- 下一篇：供电装置、图像形成装置以及供电方法
- 同类专利
- 专利分类
