[发明专利]一种改善半导体结构轮廓的方法

摘要

本发明提供一种改善半导体结构轮廓的方法，包括：提供一待处理衬底，所述衬底包括逻辑电路区域、闪存单元区域以及形成于所述逻辑电路区域及所述闪存单元区域上的多晶硅层，所述多晶硅层表面形成有凹槽，于所述多晶硅层表面及所述凹槽内壁形成氧化物层；去除所述闪存单元区域及所述逻辑电路区域上的氧化物层，保留所述凹槽内的氧化物层；减薄所述多晶硅层至消除所述多晶硅层上的凹槽，去除所述凹槽中残留的氧化物层。本发明的改善半导体结构轮廓的方法消除了多晶硅栅结构上的凹槽，避免后续制造过程中残留在凹槽中氧化物或SIN等物质影响多晶硅栅结构的连接性而造成器件性能受损，进而提高嵌入式闪存的工作性能。

主权项

1.一种改善半导体结构轮廓的方法，其特征在于，所述改善半导体结构轮廓的方法至少包括：提供一待处理衬底，所述衬底包括逻辑电路区域、闪存单元区域以及形成于所述逻辑电路区域及所述闪存单元区域上的多晶硅层，所述多晶硅层表面形成有凹槽，于所述多晶硅层表面以及所述凹槽内壁形成氧化物层；采用研磨工艺去除所述闪存单元区域上的氧化物层，并采用湿法刻蚀去除所述逻辑电路区域上的氧化物层，保留所述凹槽内的氧化物层；减薄所述多晶硅层至消除所述多晶硅层表面的凹槽，去除所述凹槽中残留的氧化物层。