[发明专利]一种高分子材料制品的真空装饰镀膜工艺

摘要

本发明公开了一种高分子材料制品的真空装饰镀膜工艺，该工艺主要包括产品表面清洗，产品表面等离子活化，大功率磁控溅射镀Cr层，精细电弧离子镀功能层，大功率磁控溅射保护层。该工艺的膜层主要包括Cr打底层，离子镀功能层，氧化物保护层。该工艺优点是：用于替代电镀处理，杜绝“三废”污染，提高了高分子产品的附加值，同时可以提供更多种颜色和外观。

主权项

一种高分子材料制品的真空装饰镀膜工艺，其特征在于包括以下工序：(1)将高分子材料制品清洗干净，送入装备了镀膜组件和离子源的镀膜真空室内，抽真空，同时，预加热到100‑200℃，待真空度到达7*10e‑3的时候，通入工作气体0.1‑2Pa之间，开离子源对产品表面进行活化及改性处理，处理时间5‑10分钟；（2）离子源不关闭，将工作气体压强调整为0.1‑1Pa之间，开启镀膜部件，在高分子材料制品表面上沉积镀膜上Cr打底层，所述的镀膜部件为装备了Cr靶材的大功率磁控溅射靶，镀膜时间为30‑100分钟；镀膜结束后，开启脉冲叠加直流偏压10‑300V，占空比10%‑90%；（3）关闭离子源，关闭大功率磁控溅射靶，通入工作气体，调节压强在0.1‑2Pa之间，高分子材料制品接通脉冲叠加直流偏压10‑300V，占空比10%‑90%，调节多模式动态耦合磁场频率、波形与峰峰值，或者调节旋转磁场的频率与强度，调节聚焦引导磁场强度，开启离子镀弧源，在Cr打底层外制备离子镀功能层，镀膜时间为20‑100分钟；（4）关闭离子镀弧源，保持偏压开启，开启离子源，开启磁控溅射Al或者Ti或者Si靶，通入氧气，调节压强在0.1‑2Pa之间，制备氧化物保护层，镀膜时间10‑50分钟；（5）镀膜结束后，降温到50度时候，关闭真空阀门，通入空气，打开真空室门，取出处理后的高分子材料制品成品。