[发明专利]超薄嵌入半导体装置封装及其制造方法

摘要

本发明涉及超薄嵌入半导体装置封装及其制造方法。一种封装结构，包括第一电介质层、附接到第一电介质层的(多个)半导体装置，以及施加到第一电介质层以便将半导体装置嵌入在其中的嵌入材料，该嵌入材料包括一个或多个附加电介质层。通孔通过第一电介质层形成到至少一个半导体装置，其中，金属互联件形成在通孔中以形成对半导体装置的电互联。输入/输出(I/O)连接部在封装结构的一端位于其一个或多个面朝外的表面上，以提供对外部电路的第二级连接。封装结构与在外部电路上的连接器互相配合以垂直于外部电路安装封装，其中，I/O连接部电连接到连接器以形成对外部电路的第二级连接。

主权项

1.一种封装结构，包括：第一电介质层；附接到所述第一电介质层的至少一个半导体装置；嵌入材料，其施加到所述第一电介质层以便将所述至少一个半导体装置嵌入在其中，所述嵌入材料包括一个或多个附加的电介质层；形成到所述至少一个半导体装置的多个通孔，所述多个通孔通过所述第一电介质层形成；金属互联件，其形成在所述多个通孔中以及在所述封装结构的一个或多个面朝外的表面上，以形成对所述至少一个半导体装置的电互联；以及输入/输出I/O连接部，其在所述封装结构的一端位于所述封装结构的一个或多个面朝外的表面上，以提供对外部电路的第二级连接；其中，所述封装结构构造成与形成在所述外部电路上的连接器互相配合以垂直于所述外部电路安装所述封装结构，其中，在所述封装结构的一端的所述I/O连接部电连接到所述连接器以形成对所述外部电路的所述第二级连接，其中，所述嵌入材料的一个或多个附加电介质层包括一个或多个电介质片材，其构造成当经受层压过程时熔化和流动以填充围绕所述至少一个半导体装置存在的任意空气间隙，所述嵌入材料还包括热连接到所述多个通孔的金属层或带有铜的电介质片材，以传播和引导热到外界环境，其中所述金属层或所述带有铜的电介质片材当经受所述层压过程时不熔化和流动。