[发明专利]碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构有效
| 申请号： | 201510094613.0 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104658830B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构，包括一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一SiC纳米尖端结构，其制作在n型SiC衬底上表面，其与n型SiC衬底的材料相同；一AlN冷阴极薄膜，其制作在SiC纳米尖端结构的上表面；一电压源，其正极与AlN冷阴极薄膜连接，负极与n型金属电极连接；一金属阳极，其位于AlN冷阴极薄膜的上面，且不与AlN冷阴极薄膜接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极连接n型金属电极。本发明是利用负电子亲和势进行电子发射，进一步提高电子发射密度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 aln 阴极 结构 | ||
【主权项】：
一种碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一SiC纳米尖端结构，其制作在n型SiC衬底上表面，其与n型SiC衬底的材料相同；一AlN冷阴极薄膜，其制作在SiC纳米尖端结构的上表面；一电压源，其正极与AlN冷阴极薄膜连接，负极与n型金属电极连接；一金属阳极，其位于AlN冷阴极薄膜的上面，且不与AlN冷阴极薄膜接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极连接n型金属电极。
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