[发明专利]一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法在审
| 申请号： | 201510087604.9 | 申请日： | 2015-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752166A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 袁秋红;曾效舒;刘勇 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法，包括以下步骤（1）将多晶硅片置于按体积比混合的溶液中质量分数37%的浓盐酸18-24份、质量分数65%的浓硝酸6-8份、去离子水98-106份，常温清洗60-360s；（2）将步骤（1）清洗后的硅片置于用去离子水中常温浸泡80-240s以清除残留在硅片表面的硝酸和盐酸；（3）将步骤（2）清洗过的硅片放入按体积比混合的溶液中质量分数49%的浓氢氟酸15-35份，质量分数37%的浓盐酸15-35份，去离子水75-100份，常温浸泡120-360s，去除硅片表面形成的氧化硅层及夹杂在其中的金属杂质。本发明工艺简单成本低，去除硅片表面金属等夹杂效果非常好，有利于提高硅片少子寿命和晶体硅太阳能电池转换效率，且与现有晶体硅太阳能电池生成线工艺兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 硅片 扩散 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法，其特征是包括以下步骤：（1）将多晶硅片置于按体积比混合的溶液中：质量分数37%的浓盐酸18?24份、质量分数65%的浓硝酸6?8份、去离子水98?106份，常温清洗60?360s；（2）将步骤（1）清洗后的硅片置于用去离子水中常温浸泡80?240s以清除残留在硅片表面的硝酸和盐酸；（3）将步骤（2）清洗过的硅片放入按体积比混合的溶液中：质量分数49%的浓氢氟酸15?35份，质量分数37%的浓盐酸15?35份，去离子水75?100份，常温浸泡120?360s，去除硅片表面形成的氧化硅层及夹杂在其中的金属杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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