[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的浅沟槽隔离；位于半导体衬底上的介电层；位于相邻的浅沟槽隔离之间悬空的第一纳米线和与第一纳米线相接悬空的第二纳米线；分别环绕第一纳米线和第二纳米线邻近浅沟槽隔离的第一源极和第二源极；位于第一纳米线和第二纳米线交接区域的漏极；位于第一源极和漏极、第二源极和漏极之间分别环绕第一纳米线和第二纳米线的至少3个第一栅极和至少3个第二栅极；在第一栅极、第二栅极、漏极和第一纳米线和第二纳米线之间设置有电势调节层。本发明的半导体器件具有高迁移率，可解决集成电路中晶体管数目及互连线增多所带来的问题。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的浅沟槽隔离；位于所述半导体衬底上且位于相邻的所述浅沟槽隔离之间的介电层；位于相邻的所述浅沟槽隔离之间且位于所述介电层上方的悬空的第一纳米线和与所述第一纳米线相接的悬空的第二纳米线；分别环绕所述第一纳米线和所述第二纳米线且邻近浅沟槽隔离的第一源极和第二源极；位于所述第一纳米线和所述第二纳米线交接区域且环绕所述第一纳米线和所述第二纳米线的漏极；位于所述第一源极和所述漏极之间且环绕所述第一纳米线的至少3个第一栅极；位于所述第二源极和所述漏极之间且环绕所述第二纳米线的至少3个第二栅极，其中，所述第一栅极与所述第一纳米线之间、所述第二栅极与所述第二纳米线之间、在所述漏极与所述第一纳米线、所述漏极和所述第二纳米线之间设置有电势调节层，位于所述漏极与所述第一纳米线、所述漏极和所述第二纳米线之间的电势调节层部分环绕所述第一纳米线和所述第二纳米线。