[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510086334.X | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105990427B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述半导体器件，包括：半导体衬底；第一栅极介电层，位于所述半导体衬底上；沟道层，位于所述第一栅极介电层上，其中所述沟道层选用单层或者双层的二维金属硫族化物；第二栅极介电层，位于所述沟道层上，栅极结构，位于所述第二栅极介电层上，作为所述半导体器件的前部栅极。本发明中选用单个二维半导体层(individual 2‑dimensional)作为沟道材料，与较厚的半导体层相比，单个2维半导体层(individual 2‑dimensional)的二维几何结构可以改进栅极结构的静电控制和减小短沟道效应，同时使用单个2维半导体层(individual 2‑dimensional)可以降低能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱，在所述阱中形成有鳍片，以作为所述半导体器件的背部栅极；第一栅极介电层，位于所述半导体衬底上；沟道层，位于所述第一栅极介电层上，其中所述沟道层选用单层或者双层的二维金属硫族化物；第二栅极介电层，位于所述沟道层上，栅极结构，位于所述第二栅极介电层上，作为所述半导体器件的前部栅极；所述第一栅极介电层、所述沟道层、所述第二栅极介电层和所述栅极结构均环绕所述鳍片设置。
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