[发明专利]一种超级结器件结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区在垂直方向包括至少三段结构，第一段是PN薄层区层，N型薄层电阻率低于硅片衬底的电阻率，P型薄层电阻率的设定要保证交替排列的N型薄层和P型薄层实现电荷平衡；第二段是电阻率等于硅片衬底电阻率的N型漂移区层；第三段是欧姆接触区层，包含一个电阻率小于等于硅片衬底电阻率的1/100的接触区。第一段中的N型薄层是通过外延工艺实现的。通过调整第一段PN薄层区层的厚度和第二段N型漂移区层的厚度，可以调整器件的导通电阻和关断性能的平衡，改善器件的耐电流冲击能力。通过采用背面注入和退火形成第三段的N型区，进一步改善了器件的开关性能。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。

主权项

一种超级结器件，所述超级结器件形成于N型硅片衬底上，所述超级结器件的中间区域为电流流动区，终端保护结构环绕于所述电流流动区的外周；其特征在于：所述电流流动区在垂直方向包括至少三段结构，第一段是PN薄层区层，由交替排列的N型薄层和P型薄层构成，N型薄层电阻率低于硅片衬底的电阻率，P型薄层电阻率的设定要保证交替排列的N型薄层和P型薄层实现电荷平衡，第一段中的N型薄层是通过外延淀积工艺实现的；第二段是N型漂移区层，其电阻率等于硅片衬底电阻率；第三段是N型欧姆接触区层，所述N型欧姆接触区层电阻率低于所述N型漂移区的电阻率，并包含一个电阻率小于等于硅片衬底电阻率的1/100的接触区。