[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管

摘要

本发明提供了一种形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管，其中，方法包括以下主要步骤：1)在基板上生成第一缓冲层；2)在第一缓冲层上生成第二缓冲层；3)在第二缓冲层上生成第三缓冲层；4)在第三缓冲层上生成非晶硅层；5)在非晶硅层上生成第四缓冲层；6)晶化非晶硅层。本发明解决了形成多晶硅薄膜的表面常有较大的隆起斑点的问题，从而提高多晶硅薄膜表面的均匀性，并进一步保证MOS管的电性能。本发明的优点：结构设定简单，有益效果显著。

主权项

1.一种形成多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在基板上生成第一缓冲层；2)在所述第一缓冲层上有间隔地生成第二缓冲层；3)在所述第二缓冲层上生成第三缓冲层；4)在所述第三缓冲层上生成非晶硅层；5)在所述非晶硅层上生成第四缓冲层；6)晶化所述非晶硅层，使所述非晶硅层及所述第四缓冲层形成多晶硅薄膜；其中，所述第一缓冲层、所述第三缓冲层和所述第四缓冲层皆为消光系数小于10^‑4的二氧化硅层；所述第二缓冲层为消光系数10^‑2～10^‑4的二氧化硅层。