[发明专利]一种MOCVD反应器的处理方法

摘要

一种MOCVD反应器的处理方法，本发明通过在预处理阶段循环执行金属有机气体反应。所述处理方法包括预处理流程和晶体生长流程，其中预处理流程中包括金属有机气体反应步骤和含氧气体反应步骤，交替执行金属有机气体反应步骤和含氧气体反应步骤，直到完成对反应腔内喷淋头的预处理。其中预处理流程中，通过控制冷却液供应系统来控制喷淋头具有第一温度，在晶体生长流程中喷淋头具有第二温度，第一温度大于第二温度。

主权项

1.一种MOCVD反应器的处理方法，包括：提供一反应器，所述反应器包括一反应腔，所述反应腔顶部固定一气体喷淋头，所述气体喷淋头包括一气体分配器及位于气体分配器下方的冷却板，所述冷却板内包括多条冷却管道连接到外部的冷却液供应系统以控制冷却板的温度，所述反应腔底部设置一抽气装置用于排出反应腔内的气体，一个支撑装置用于支撑待处理晶圆托盘，一个加热装置位于所述晶圆托盘下方；所述处理方法包括预处理流程和晶体生长流程，其中预处理流程中包括金属有机气体反应步骤和含氧气体反应步骤，所述金属有机气体反应步骤中，放置晶圆托盘到所述支撑装置上，控制所述冷却液供应系统使气体喷淋头具有第一温度，向所述加热装置供应第一功率，向反应腔中通入第一金属有机反应气体，直到完成金属有机气体反应步骤；所述含氧气体反应步骤中，停止供应所述第一金属有机反应气体，同时向反应腔内供应含氧气体，直到完成含氧气体反应步骤；循环执行所述金属有机气体反应步骤和含氧气体反应步骤，直到完成预处理流程进入晶体生长流程；所述晶体生长流程中，放置承载有待处理晶圆的托盘到所述支撑装置上，控制所述冷却液供应系统使气体喷淋头具有第二温度，向所述加热器供应第二功率，向反应腔中通入第二金属有机反应气体；其特征在于第一温度大于第二温度，第一功率小于第二功率，所述第一温度为70‑200度，第二温度为45‑55度。