[发明专利]在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法有效
| 申请号： | 201510082868.5 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105986321B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 贾少鹏;何巍;陆书龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法，包括步骤：S101、选取Ge衬底置于反应腔室中；S102、在所述Ge衬底上生长一As原子层；S103、在所述As原子层上生长一GaAs缓冲层，对所述GaAs缓冲层反复进行退火工艺，直至由RHEED观察到的图像由点状变为线状；S104、在所述GaAs缓冲层上生长GaAs外延薄膜。该方法能够促进Ge衬底和GaAs外延薄膜之间的反相畴自湮灭，提高了外延薄膜的晶体质量和改善了外延薄膜的表面形貌。 | ||
| 搜索关键词： | ge 衬底 生长 gaas 外延 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法，其特征在于，包括步骤：S101、选取Ge衬底置于反应腔室中；S102、在所述Ge衬底上生长一As原子层；S103、在所述As原子层上生长一GaAs缓冲层，对所述GaAs缓冲层反复进行退火工艺，直至由RHEED观察到的图像由点状变为线状；S104、在所述GaAs缓冲层上生长GaAs外延薄膜。
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