[发明专利]一种通过缓冲层调控的多比特单元磁存储器件有效
| 申请号： | 201510079744.1 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104701453B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 王梦醒;赵巍胜;郭玮;史前;张有光 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司11232 | 代理人： | 王顺荣,唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种通过缓冲层调控的多比特单元磁存储器件，它是形成多个截面尺寸相同的磁隧道结层叠，通过调节缓冲层的材料、厚度，改变其中一个磁隧道结的性能参数，从而产生实现多比特单元磁存储器件的多组电阻状态；该多比特单元磁存储器件由基于垂直磁各向异性的两个磁隧道结串联而成，各个磁隧道结包含参考层、势垒层和自由层；其中，参考层的磁化方向固定，自由层的磁化方向根据注入电流的大小及方向在两种状态之间转换，即自旋转移力矩效应；当两个磁化方向相同时，磁隧道结呈现低电阻状态，表示数据“0”；当参考层与自由层的磁化方向相反时，磁隧道结呈现高电阻状态，表示数据“1”。本发明在非易失性磁存储器技术领域里具有十用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 缓冲 调控 比特 单元 磁存储器 | ||
【主权项】：
一种通过缓冲层调控的多比特单元磁存储器件，其特征在于：它是形成多个截面尺寸相同的磁隧道结层叠，通过调节缓冲层的材料和厚度，改变其中一个磁隧道结的性能参数，从而产生实现多比特单元磁存储器件的多组电阻状态；该多比特单元磁存储器件由基于垂直磁各向异性的两个磁隧道结串联而成，各个磁隧道结包含参考层、势垒层和自由层；其中，参考层的磁化方向固定，自由层的磁化方向根据注入电流的大小及方向在两种状态之间转换，即自旋转移力矩效应；当两个磁化方向相同时，磁隧道结呈现低电阻状态，表示数据“0”；当参考层与自由层的磁化方向相反时，磁隧道结呈现高电阻状态，表示数据“1”。
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