[发明专利]硅片生产系统有效
| 申请号： | 201510072543.9 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN105990468B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司;英利能源（中国）有限公司;保定天威英利新能源有限公司;河北流云新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片生产系统。该硅片生产系统包括：湿法刻蚀设备，湿法刻蚀设备包括设备排风部与热风干燥槽，热风干燥槽具有硅片传送入口和硅片传送出口；臭氧氧化设备，设置在热风干燥槽的下游，且臭氧氧化设备通过硅片传送出口与热风干燥槽连通；湿法刻蚀设备还包括：隔板，设置在热风干燥槽与设备排风部之间以至少部分地将二者隔离，使热风干燥槽内的气压大于等于臭氧氧化设备内的气压。应用本发明的技术方案可以解决现有技术中臭氧与硅片提前反应并再经过滚轮的碾压而导致硅片表面的氧化层的薄厚不均的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 生产 系统 | ||
【主权项】：
1.一种硅片生产系统，包括：湿法刻蚀设备(10)，所述湿法刻蚀设备(10)包括设备排风部(12)与热风干燥槽(13)，所述热风干燥槽(13)具有硅片传送入口(131)和硅片传送出口(132)；臭氧氧化设备(20)，设置在所述热风干燥槽(13)的下游，且所述臭氧氧化设备(20)通过所述硅片传送出口(132)与所述热风干燥槽(13)连通；其特征在于，所述湿法刻蚀设备(10)还包括：隔板(14)，设置在所述热风干燥槽(13)与所述设备排风部(12)之间以至少部分地将二者隔离，使所述热风干燥槽(13)内的气压大于等于所述臭氧氧化设备(20)内的气压；所述硅片生产系统还包括鼓风机(40)，所述鼓风机(40)连接有送风管，所述送风管延伸进所述热风干燥槽(13)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
