[发明专利]光电子器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510071944.2 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN105990475B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 张瑞英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光电子器件，包括基础衬底、形成于所述基础衬底上的具有高深宽比的介质结构、高深宽比介质结构内的大失配异质半导体材料以及覆盖于正面和背面的电极，其中,所述光电子器件的大失配异质半导体材料至少包括无应变缓冲层、芯层和包覆层均位于所述介质结构的沟槽内，且所述半导体材料不突出于所述介质结构的顶面。此外，该器件结构还包括位于介质沟槽内或者沟槽上的电极接触层以及正面和背面电极。本发明可以完全将失配材料和基础衬底之间的失配位错被介质结构捕获，且光电子器件的半导体材料生长在介质结构内，晶体质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电子器件，其特征在于，包括基础衬底、形成于所述基础衬底上的具有高深宽比的介质结构、以及生长于介质结构内的大失配半导体材料体系，所述的大失配半导体材料体系包括大失配位错抑制层、无位错缓冲层、芯层和包覆层，所述的大失配半导体材料体系的各层构成光电子器件材料主体，从介质结构内的基础衬底依次向上生长，但不露出介质结构，所述光电子器件还包括形成于所述包覆层之上的半导体接触层以及正面和背面电极。
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