[发明专利]一种大体积高压氧化物单晶生长方法在审
| 申请号： | 201510068253.7 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN104746128A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 龙有文;杨俊叶;殷云宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B1/10 | 分类号： | C30B1/10;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,张靖琳 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种大体积高压氧化物单晶生长方法，所述大体积高压氧化物单晶生长方法包括常压下生长前驱体氧化物单晶；将所述前驱体氧化物单晶与氧源混合后进行高温高压固相反应改变化学组分和/或晶体结构，从而获得大体积目标氧化物单晶体，其中所述前驱体氧化物单晶和所述目标氧化物单晶均为过渡金属氧化物。本发明提出的大体积高压氧化物单晶生长方法克服了传统高温高压单晶生长尺寸过小的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 体积 高压 氧化物 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种大体积高压氧化物单晶生长方法包括：常压下生长前驱体氧化物单晶；将所述前驱体氧化物单晶与氧源混合后进行高温高压固相反应获得目标氧化物单晶；其中所述前驱体氧化物单晶和所述目标氧化物单晶均为过渡金属氧化物。
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