[发明专利]金属栅制备方法

摘要

本发明涉及半导体制备技术领域，具体提供了一种金属栅制备方法，本发明是基于gate last的一种HKMG制备工艺，通过减薄其中一器件区的样本栅并在其顶部制备硬掩膜层，之后在其他器件区制备金属栅并进行研磨时，硬掩膜层可有效起到保护其下方的样本栅免受损伤，进而提高了研磨后器件表面的均匀性。

主权项

1.一种金属栅制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底，所述衬底表面覆盖有介质层，所述介质层中形成有第一栅槽和第二栅槽，所述第一栅槽内设置有第一样本栅，所述第二栅槽内设置有第二样本栅；第一样本栅的高度小于介质层的厚度，第二样本栅的高度等于介质层的厚度；步骤S2、制备一层硬掩膜层覆盖在第一样本栅和第二样本栅的顶部，并将第一栅槽内位于第一样本栅之上的间隙空间完全予以填充；步骤S3、完全移除位于第二样本栅之上的硬掩膜层，同时移除第一样本栅之上的一部分硬掩膜层并在第一样本栅之上保留部分硬掩膜层；步骤S4、对所述介质层进行研磨，移除部分第二样本栅并将第一样本栅之上的余下的硬掩膜层进行部分移除；步骤S5、刻蚀以完全移除第二栅槽内余下的第二样本栅；步骤S6、填充金属至第二栅槽内并进行研磨，籍由第一样本栅之上的残留的硬掩膜层保障第一样本栅在研磨过程中免受损伤。