[发明专利]一种HIT太阳能电池边缘隔离的方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种HIT太阳能电池边缘隔离的方法。该方法首先选取合适的晶体硅基底，对基底进行超声清洗，并进行基底表面的绒面制备；在基底上面和侧面沉积前表面本征氢化非晶硅层并前表面掺杂非晶硅薄膜层；在基底的前表面非晶硅薄膜层之上，溅射沉积前表面透明导电薄膜层；在基底背面沉积背面本征氢化非晶硅层并掺杂背面非晶硅薄膜层；在基底的背面非晶硅薄膜层之上，溅射沉积背面透明导电薄膜层；在基底前表面和背面的透明导电薄膜层上，进行丝网印刷导电浆料形成栅极电极；采用高速激光扫描系统在HIT太阳能电池边缘区域，扫描刻划出边缘隔离槽状结构，从而完成边缘漏电隔离。本发明隔离方法简单、可靠。

主权项

一种HIT太阳能电池边缘隔离的方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：步骤S1：选取合适的晶体硅基底，对基底进行超声清洗，并进行基底表面的绒面制备；步骤S2：在基底上面和侧面上沉积前表面本征氢化非晶硅层作为首层，并掺杂前表面非晶硅薄膜层作为叠层；步骤S3：在基底的叠层即前表面非晶硅薄膜层之上，溅射沉积前表面透明导电薄膜层；步骤S4：在基底背面沉积背面本征氢化非晶硅层作为首层，并掺杂背面非晶硅薄膜层作为叠层；步骤S5：在基底背面的叠层即背面非晶硅薄膜层之上，溅射沉积背面透明导电薄膜层；步骤S6：在基底的前表面透明导电薄膜层和背面透明导电薄膜层上，进行丝网印刷导电浆料分别形成前表面栅极电极和背面栅极电极，得到HIT太阳能电池；步骤S7：采用高速激光扫描系统在HIT太阳能电池边缘区域，扫描刻划出边缘隔离槽状结构，从而完成边缘漏电隔离。