[发明专利]一种复相型高阻尼镁合金无效
| 申请号: | 201510059455.5 | 申请日: | 2015-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN104711469A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
| 发明(设计)人: | 刘红梅;胥永刚;陈辉;陈宇;高天学;孙兵 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
| 主分类号: | C22C23/00 | 分类号: | C22C23/00;C22C1/02;C22F1/06 |
| 代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 张澎 |
| 地址: | 610031 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种复相型高阻尼镁合金,Sn的重量百分数0.01-50,采用如下的处理步骤:镁锭加入井式电阻炉中熔炼,熔化过程采用SF6保护气体;镁锭升温750℃熔化后,加入一定比例的锡锭和其它合金元素,在680-730℃炉内保温20-40min;结束后静置降温,并在保护气氛中浇铸;所得铸态合金在460-500℃固溶24小时后水冷,然后在200-240℃保温10-24小时进行时效,获得目标物。本发明复相型高阻尼镁合金呈现了位错与相界复合控制的阻尼特征,表现出了优异的阻尼性能。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 复相型高 阻尼 镁合金 | ||
【主权项】:
一种复相型高阻尼镁合金,其特征在于,以Mg为基体,其它组分为的重量百分比为:Sn:0.01‑50wt%,可以只是Mg‑Sn二元合金,或者在此基础上,添加一种或者多种其它合金元素,其它合金元素的含量0.01‑10wt%%,其含量小于Sn元素的含量;采用如下的处理步骤制得:镁锭加入井式电阻炉中熔炼,熔化过程采用SF6保护气体;镁锭升温750℃熔化后,加入一定比例的锡锭和其它合金元素,在680‑730℃炉内保温20‑40min;结束后静置降温,并在保护气氛中浇铸;所得铸态合金在460‑500℃固溶24小时后水冷,然后在200‑240℃保温10‑24小时进行时效,获得目标物。
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