[发明专利]一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法

摘要

本发明公开了一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法，其能够有效的提高硅衬底的表面积，提高硅衬底LED发光芯片的发光效率。它主要包括步骤：(a)选用合适的硅衬底，根据硅衬底的表面特性以及所需的图形形状设计掩膜图形；(b)在硅衬底表面生成硅氧化物保护层或金属保护层；(c)对硅衬底进行清洗及预处理；(d)对经过预处理的硅衬底表面涂抹光刻胶，然后进行烘烤；(e)对涂有光刻胶的硅衬底表面依次进行掩膜和光刻工艺处理；(f)采用湿法化学腐蚀工艺把光刻胶图形传递成为硅衬底表面的保护层掩膜图形；(g)把带有保护层掩膜图形的硅衬底浸入化学腐蚀溶液中进行各向异性腐蚀，当硅衬底表面生成需要的立体图形后，立即取出硅衬底终止化学腐蚀反应。

主权项

一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法，其特征在于，它包括以下步骤：(a).选用合适的硅衬底，根据硅衬底的表面特性以及所需的图形形状设计掩膜图形，掩膜图形单元尺寸为3μm～1000μm；(b).在硅衬底表面生成硅氧化物保护层或金属保护层；(c).对硅衬底进行清洗及预处理，使后续光刻胶能够牢固附着在硅衬底表面；(d).对经过预处理的硅衬底表面涂抹光刻胶，然后进行烘烤；(e).对涂有光刻胶的硅衬底表面依次进行掩膜和光刻工艺处理，把掩膜图形传递成为光刻胶图形；(f).采用湿法化学腐蚀工艺或干法刻蚀工艺把光刻胶图形传递成为硅衬底表面的保护层掩膜图形；(g).把带有保护层掩膜图形的硅衬底浸入化学腐蚀溶液中进行各向异性腐蚀，腐蚀过程中需要搅拌，预防反应生成物附着在硅衬底表面；(h).控制化学腐蚀溶液成份、温度及时间，当硅衬底表面生成需要的立体图形后，立即取出硅衬底终止化学腐蚀反应后，对硅衬底表面去除残留保护层、清洗处理后与LED发光芯片进行组合。