[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效

专利信息
申请号: 201510057134.1 申请日: 2015-02-03
公开(公告)号: CN104575393B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 聂诚磊 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3258 分类号: G09G3/3258;G09G3/3266
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。所述AMOLED像素驱动电路包括第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管(M1、M2、M3、M4、M5、M6)、第一、第二电容(C1、C2)、及有机发光二极管(D1);其中,第三薄膜晶体管(M3)为镜像薄膜晶体管,第四薄膜晶体管管(M4)为驱动薄膜晶体管,第二薄膜晶体管(M2)设于第三与第四薄膜晶体管(M3、M4)之间,通过复位信号(Restore)按照时序控制第二薄膜晶体管(M2)的打开与关闭来控制所述第三薄膜晶体管(M3)的源极电位在复位(Restore)阶段被拉低至接地电位(GND),保证第三、第四薄膜晶体管的(M3、M4)的栅源极电压相等,并能有效简化数据信号,增加数据信号的充电时间。
搜索关键词: amoled 像素 驱动 电路 方法
【主权项】:
一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(M1)、第二薄膜晶体管(M2)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、第六薄膜晶体管(M6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1);所述第六薄膜晶体管(M6)的栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号(Gate2(n)),漏极电性连接于数据信号(Data),源极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的源极及第一电容(C1)的一端;所述第三薄膜晶体管(M3)的栅极经由第一节点(D)电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的栅极,漏极电性连接于第一薄膜晶体管(M1)的漏极,源极电性连接于第六薄膜晶体管(M6)的源极及第一电容(C1)的一端;所述第一薄膜晶体管(M1)的栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号(Gate1(n)),漏极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的漏极,源极电性连接于第一节点(D);所述第五薄膜晶体管(M5)的栅极与源极均电性连接于第n‑1级第二扫描控制信号(Gate2(n‑1)),漏极电性连接于第一节点(D);所述第四薄膜晶体管(M4)的栅极经由第一节点(D)电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的栅极,漏极电性连接于接地电位(GND),源极电性连接于有机发光二极管(D1)的阴极;所述第二薄膜晶体管(M2)的栅极电性连接于复位信号(Restore),源极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的源极,漏极电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的漏极及接地电位(GND);所述第一电容(C1)的一端电性连接于第六薄膜晶体管(M6)的源极及第三薄膜晶体管(M3)的源极,另一端电性连接于接地电位(GND);所述第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(D),另一端电性连接于接地电位(GND);所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于电源电压(VDD),阴极电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的源极;所述复位信号(Restore)按照时序提供高、低交替电位,控制所述第三薄膜晶体管(M3)的源极电位是否被拉低至接地电位(GND)。
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