[发明专利]蚀刻底层凸块金属化层及产生的装置有效
| 申请号： | 201510055498.6 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN104821271B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | T·A·阿塔纳索夫;R·维勒克;A·N·董 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻底层凸块金属化层及产生的装置，揭露用于湿蚀刻UBM层的方法及所导致的装置。实施例可包括在具有至少两金属层的晶圆上图案成形金属凸块；曝露该晶圆至第一酸溶液，以移除由图案成形该金属凸块所曝露出的该两金属层中的一部分第一层；以及曝露该晶圆至第二酸溶液，以移除由图案成形该金属凸块与曝露该晶圆至该第一酸溶液所曝露出的该两金属层中的一部分第二层，其中，由移除该部分的该第一金属层及第二金属层所形成的在该金属凸块下面的底切是少于1.5微米。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 底层 金属化 产生 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制造金属凸块的方法，包括：在具有至少两金属层的晶圆上图案化金属凸块，其中，该金属凸块各包括底部部分以及顶部部分，该底部部分由镍所形成；曝露该晶圆至第一酸溶液，以移除通过图案化该金属凸块所曝露出的该两金属层中的一部分第一金属层，其中，该第一酸溶液包括体积百分比为0.07％至0.36％的磷酸、体积百分比为0.1％至0.7％的过氧化氢及剩余体积的水；以及曝露该晶圆至第二酸溶液，以移除通过图案化该金属凸块与曝露该晶圆至该第一酸溶液所曝露出的该两金属层中的一部分第二金属层，其中，该第二酸溶液包括体积百分比为0.1％至0.49％的氢氟酸及剩余体积的水、在有机溶剂中的氢氟酸、或是氨、过氧化氢、氟及水的混合物(APFM),其中，通过该第一金属层及该第二金属层受蚀刻回超过该金属凸块的该底部部分的边缘而移除该部分所形成在该金属凸块的该底部部分下方的底切是少于1.5微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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