[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201510054833.0 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105990424A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 汪铭;程勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底的逻辑器件区的逻辑器件、位于所述半导体衬底的LDMOS区的LDMOS，还包括位于所述逻辑器件区的浅沟槽隔离；其中，所述LDMOS包括位于场板下方的隔离结构，所述隔离结构的厚度小于所述浅沟槽隔离的深度。该半导体器件由于隔离结构的厚度小于浅沟槽隔离的深度，因而可以提高场板的效果。本发明的方法用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底(200)、位于所述半导体衬底的逻辑器件区的逻辑器件(21)、位于所述半导体衬底的LDMOS区的LDMOS(22)，还包括位于所述逻辑器件区的浅沟槽隔离(2101)；其中，所述LDMOS包括位于场板下方的隔离结构(2201)，所述隔离结构的厚度小于所述浅沟槽隔离的深度。
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