[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管

摘要

一种横向绝缘栅双极型晶体管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构引出栅极引出端作为栅电极，因而当在栅电极加上一定电压时，沟槽两侧的栅绝缘层与第一导电类型阱都形成反型层，即导电沟道；当漏极结构(第一导电类型漏极掺杂区)上有电压时，导电沟道中有电流流过。如果栅极沟槽结构的个数为N个，则电流流过的导电沟道就有2N个，较之传统的单沟道SOI-LIGBT的单个元胞结构中电流密度显著增加，从而可以在多元胞结构下总体提高了单个器件的电流密度。因而，在同样的工作电流下，上述横向绝缘栅双极型晶体管因为单个元胞结构更大的工作电流使得器件面积小、导通压降小。

主权项

一种横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；绝缘层，形成于所述第一导电类型衬底上；第二导电类型外延层，形成于所述绝缘层上；场氧化层结构，形成于所述第二导电类型外延层上；第一导电类型阱，形成于所述第二导电类型外延层上，且位于所述场氧化层结构的一侧；多于一个的栅极沟槽结构，所述多于一个的沟槽栅结构分开穿插设置在所述第一导电类型阱中，所述栅极沟槽结构的槽底延伸至所述第二导电类型外延层；所述栅极沟槽结构包括沟槽和填充于所述沟槽内的导电材料，所述沟槽内的表面还形成有栅绝缘层；第二导电类型源极掺杂区，形成于各所述栅极沟槽结构两侧的所述第一导电类型阱的表层上；第一导电类型源极掺杂区，形成于所述第二导电类型掺杂区远离所述栅极沟槽结构一侧的所述第一导电类型阱的表层上；第二导电类型阱，形成于所述第二导电类型外延层上，且位于所述场氧化层结构异于所述第一导电类型阱一侧的一侧；第一导电类型漏极掺杂区，形成于所述第二导电类型阱的表层上；栅极引出端，所述栅极引出端与所述沟槽内的导电材料电连接；源极引出端，所述源极引出端与第二导电类型源极掺杂区、第一导电类型源极掺杂区电连接；及漏极引出端，所述漏极引出端与所述第一导电类型漏极掺杂区电连接。