[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，第一区域部分基底上形成有第一伪栅，第二区域部分基底上形成有第二功函数层以及位于第二功函数层表面的牺牲层；采用干法刻蚀工艺刻蚀去除第一伪栅，且牺牲层表面暴露在干法刻蚀环境中；刻蚀去除牺牲层，在第二区域层间介质层内形成第二开口；形成覆盖于第一开口底部表面和侧壁表面、以及第二开口底部表面和侧壁表面的第一功函数层；形成覆盖于第一功函数层表面的第一金属栅极，第一金属栅极还填充满第一开口和第二开口。本发明去除了受到损伤的牺牲层，在第一区域形成第一金属栅极的同时，在第二区域形成第一金属栅极，优化了半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和第二区域的基底，所述第一区域的部分基底上形成有第一伪栅，所述第二区域的部分基底上形成有第二功函数层以及位于第二功函数层表面的牺牲层，所述第一区域和第二区域基底表面还形成有层间介质层，且所述层间介质层覆盖于第一伪栅侧壁表面和牺牲层侧壁表面；采用干法刻蚀工艺刻蚀去除所述第一伪栅，在所述第一区域层间介质层内形成第一开口，且所述牺牲层表面暴露在所述干法刻蚀环境中；采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述牺牲层，在所述第二区域层间介质层内形成第二开口；形成覆盖于所述第一开口底部表面和侧壁表面、以及第二开口底部表面和侧壁表面的第一功函数层；形成覆盖于所述第一功函数层表面的第一金属栅极，所述第一金属栅极还填充满所述第一开口和第二开口，且所述第一金属栅极顶部与层间介质层顶部齐平；其中，在形成所述第一开口之后，还包括步骤：对所述第一开口进行湿法清洗，所述湿法清洗和湿法刻蚀工艺在同一道工艺步骤中进行。