[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201510051424.5 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105990340A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 张花威;任小兵 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括氧化埋层以及所述氧化埋层上的体区；所述体区上形成有栅极，所述栅极由第一条状图形、第二条状图形构成，所述第一条状图形与第二条状图形垂直相交；所述栅极将所述体区在平面内分割为源区、漏区、第一体接触区，其中所述源区与漏区对称分布于所述第二条状图形的两侧，所述第一体接触区位于所述第一条状图形的外侧；根据本发明的建议，所述第一体接触区具有较小的面积，使所述第一体接触区与所述第一条状图形相接触的长度小于所述第一条状图形与源区和漏区相接触的长度，且所述第一体接触区与所述第一条状图形相接触的长度为0.42微米。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括氧化埋层以及所述氧化埋层上的体区；所述体区上形成有栅极，所述栅极由第一条状图形、第二条状图形构成，所述第一条状图形与第二条状图形垂直相交；所述栅极将所述体区在平面内分割为源区、漏区、第一体接触区，其中所述源区与漏区对称分布于所述第二条状图形的两侧，所述第一体接触区位于所述第一条状图形的外侧；其特征在于：所述第一体接触区使所述第一体接触区与所述第一条状图形相接触的长度小于所述第一条状图形与源区和漏区相接触的长度，且所述第一体接触区与所述第一条状图形相接触的长度为0.42微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
