[发明专利]一种半导体器件参数提取装置及方法有效
| 申请号： | 201510049824.2 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104573283B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;刘桂明;常虎东;周佳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参数和本征器件模型参数的参数提取步骤；以及用于将提取出的半导体器件参数导出的参数导出步骤。本发明提高了参数提取的灵活度和模型参数的准确性，并与商用模型结合实现便捷性，具有实际的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 参数 提取 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件参数提取装置，其特征在于，包括：用于编写电路网表的电路描述装置；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试装置；用于从测试计划中提取寄生单元参数和本征器件模型参数的参数提取装置；以及用于将提取出的半导体器件参数导出的参数导出装置；其中，所述参数提取装置在从测试计划中提取寄生单元参数和本征器件模型参数时，采用的函数是自定义参数提取函数，或者是调用ICCAP内部自带的参数提取函数；提取半导体器件参数的具体过程如下：利用开路‑短路结构的散射参数提取寄生单元的值，存入模型参数；利用器件冷态条件的散射参数，自定义函数提取寄生电阻，存入模型参数；利用器件的散射参数，自定义函数提取小信号模型参数，存入数据库并调用ICCAP内部EEfet3函数提取交流、频散参数；利用器件的直流参数调用ICCAP内部EEfet3函数提取直流模型参数，存入模型参数。
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