[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510047719.5 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105990213A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;徐烨锋;唐波;王红丽;许静;李春龙;杨萌萌;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成栅极；在叠层及栅极上形成覆盖层；刻蚀栅极侧面的覆盖层及第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔进行腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；进行氧化工艺，以填充空腔；去除覆盖层；进行器件的后续加工。本发明实现了类SOI衬底，并在其上形成器件，具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成栅极；在叠层及栅极上形成覆盖层；刻蚀栅极侧面的覆盖层及第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔进行腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；进行氧化工艺，以填充空腔；去除覆盖层；进行器件的后续加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
