[发明专利]一种深沟槽的硅外延填充方法在审
| 申请号： | 201510046489.0 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105990090A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种深沟槽的硅外延填充方法，所述方法包括以下步骤：在N型外延层上形成初始氧化层，所述初始氧化层的厚度不超过0.2um；在所述初始氧化层上形成介质层，所述介质层与所述初始氧化层形成复合介质层；去除所述复合介质层中对应于N型外延层上预形成深沟槽的位置的部分区域；在所述N型外延层上形成一个或多个深沟槽；去除所述介质层；在所述深沟槽内和所述初始氧化层表面形成P型外延层；去除所述初始氧化层的表面所在平面以上的所有P型外延层部分；去除所述初始氧化层。本发明能够制得表面较为平整的半导体器件，满足了工业化生产的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 外延 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽的硅外延填充方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在N型外延层上形成初始氧化层，所述初始氧化层的厚度不超过0.2um；在所述初始氧化层上形成介质层，所述介质层与所述初始氧化层形成复合介质层；去除所述复合介质层中对应于N型外延层上预形成深沟槽的位置的部分区域；在所述N型外延层上形成一个或多个深沟槽；去除所述介质层；在所述深沟槽内和所述初始氧化层表面形成P型外延层；去除所述初始氧化层的表面所在平面以上的所有P型外延层部分；去除所述初始氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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