[发明专利]三维存储器元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器元件及其制造方法，该制造方法包括形成第一半导体材料的多个层，以及形成通过此些层的多个孔洞；透过此些孔洞，对此些层执行刻蚀工艺，以在相邻且围绕此些孔洞的此些层之中形成多个拉回区域；沉积第二半导体材料的一薄膜于此些孔洞之上与此些拉回区域之内；将部分的此薄膜从此些孔洞除去，同时留下与第一半导体材料接触的此些拉回区域当中的第二半导体材料的多个元素；以绝缘材料填充此些孔洞。此些层中的多层各自具有一第一掺杂浓度分布，此些拉回区域当中的第二半导体材料的此些元素具有一第二掺杂浓度分布。此第二掺杂浓度分布在第二半导体材料的此些元素中建立一较高的导电性。

主权项

一种制造一存储器元件的方法，包括：形成一第一半导体材料的多个层；形成通过这些层的多个孔洞；透过这些孔洞，对这些层执行一刻蚀工艺，以在相邻且围绕这些孔洞的这些层之中形成多个拉回(pull‑back)区域；沉积一第二半导体材料的一薄膜于这些孔洞之上与这些拉回区域之内；将部分该第二半导体材料的该薄膜从这些孔洞除去，同时留下与这些层中的该第一半导体材料接触的这些拉回区域当中的该第二半导体材料的多个元素；以及以绝缘材料填充这些孔洞；其中，该第一半导体材料的这些层中的多层各自具有一第一掺杂浓度分布，且这些拉回区域当中的该第二半导体材料的这些元素具有一第二掺杂浓度分布，该第二掺杂浓度分布在该第二半导体材料的这些元素中相较于该第一掺杂浓度分布建立一较高的导电性。