[发明专利]一种控制金属纳米Cu/Ru多层膜相结构的方法有效
| 申请号： | 201510043957.9 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN104630727B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王飞;周青;黄平;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种控制金属纳米Cu/Ru多层膜相结构的方法，该方法是在磁控溅射镀膜过程中，采用慢速率沉积工艺，通过控制铜层和钌层的单层厚度，并通过溅射过程转速、偏压参数的调整，使多层膜的相结构随着铜层和钌层厚度的变化逐渐从fcc/hcp向fcc/fcc过渡，最终演变为hcp/hcp。本发明制备的薄膜结构致密，界面层明晰，可以很容易通过控制不同层薄膜厚度来控制各层成分和界面结构，从而为制备力学性能可控的单相纳米晶材料提供可能。同时，该方法操作简单，成本较低，易于在工业上实现和推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 金属 纳米 cu ru 多层 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种控制金属纳米Cu/Ru多层膜相结构的方法，其特征在于，在磁控溅射镀膜过程中，采用慢速率沉积工艺，通过控制铜层和钌层的单层厚度，并通过溅射过程转速、偏压参数的调整，使多层膜的相结构随着铜层和钌层厚度的变化逐渐从fcc/hcp向fcc/fcc过渡，最终演变为hcp/hcp。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510043957.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
