[发明专利]沟槽栅蚀刻方法

摘要

本发明涉及一种沟槽栅蚀刻方法，包括：步骤一：在硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽，掩膜的与沟槽的侧壁相邻的区域形成环绕区，步骤二：垂直于沟槽的侧壁而蚀刻环绕区，在蚀刻后的环绕区的边缘和沟槽的顶角之间形成第一预定距离的台阶，步骤三：向硅衬底的经步骤二处理后的表面上涂覆保护层，步骤四：除去环绕区和台阶上的保护层，并且除去沟槽内的部分的保护层，直到沟槽内的保护层的表面与沟槽的顶角为第二预定距离，步骤五：在保护层和蚀刻后的环绕区的保护下，将台阶蚀刻为圆滑的边缘。根据本发明的方法，形成沟槽后向沟槽内填充了保护层。在对顶角进行圆化处理时，能够防止沟槽壁被破坏。

主权项

1.一种沟槽栅蚀刻方法，包括：步骤一：在硅衬底的表面上形成掩膜，穿过所述掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽，所述掩膜的与所述沟槽的侧壁相邻的区域形成环绕区，所述环绕区上还设置有第一光刻胶；步骤二：垂直于所述沟槽的侧壁蚀刻所述环绕区，在蚀刻后的环绕区的边缘和所述沟槽的顶角之间形成第一预定距离的台阶，以湿法腐蚀来蚀刻所述环绕区；在形成所述台阶后，除去所述第一光刻胶，所述掩膜为氮化硅层或二氧化硅层；对于氮化硅层为掩膜时，所述湿法腐蚀使用的腐蚀液为磷酸；对于二氧化硅层为掩膜时，所述湿法腐蚀使用的腐蚀液为氢氟酸的水溶液；步骤三：向所述硅衬底的经步骤二处理后的表面上涂覆保护层，步骤四：除去所述环绕区和台阶上的保护层，并且除去所述沟槽内的部分的保护层，直到沟槽内的保护层的表面与所述沟槽的顶角之间为第二预定距离，步骤五：在所述保护层和所述蚀刻后的环绕区的保护下，以等离子蚀刻将所述台阶蚀刻成圆滑的边缘，所述等离子蚀刻使用的蚀刻气体为CHF3、CF4与Ar的气体混合物，其中CHF3的物质的量与CF4的物质的量之比为(3-7)：3，CHF3的物质的量与Ar的物质的量之比为5:(12-24)，当所述掩膜为二氧化硅层时，所述掩膜的厚度大于所述第一预定距离或第二预定距离。