[发明专利]一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法

摘要

本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中，由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度，从而能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层，无需去除，从而减少了工序。

主权项

一种制作碳化硅SBD器件的正面保护方法，其特征在于，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；利用氢氟酸去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；溅射欧姆接触金属并进行快速退火，在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；利用所述类金刚石膜和所述氧化层作为钝化层，对所述碳化硅晶圆的正面进行光刻、刻蚀和去胶清洗，在所述碳化硅晶圆的正面形成刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。