[发明专利]并行电子束、离子束蚀刻工艺及装置

摘要

本发明涉及纳米加工领域，为实现并行电子束蚀刻系统以及并行离子束蚀刻系统，加快曝光速度，减小曝光时间，增加产量，降低成本。另外，系统本身的成本也有望低于一般扫描电子束蚀刻系统，为此，本发明采取的技术方案是，一种并行电子束、离子束蚀刻工艺，包括如下流程：(1)准备模板，模板材料采用刚性薄膜；(2)将模板转移到附有蚀刻胶的基底上；(3)将样品放入真空室中，将真空室中气压抽至设定值以下，开始对模板及蚀刻胶进行一定时间的电子束或者离子束曝光；(4)电子束或离子束蚀刻后移走模板，模板可重复利用，蚀刻胶原来的暴露部分性质改变；(5)显影，洗掉性质改变的胶，得到需要图形。本发明主要应用于纳米加工场合。

主权项

1.一种并行电子束、离子束蚀刻工艺，其特征是，包括如下流程：(1)准备模板，模板材料采用刚性薄膜；(2)将模板转移到附有蚀刻胶的基底上；(3)将样品放入真空室中，将真空室中气压抽至设定值以下，开始对模板及蚀刻胶进行一定时间的电子束或者离子束曝光；(4)电子束或离子束蚀刻后移走模板，模板可重复利用，蚀刻胶原来的暴露部分性质改变；(5)显影，洗掉性质改变的蚀刻胶，得到需要图形；其中，模板制作流程为串行过程，具体地：(1)将电子束曝光胶附在模板材料上，然后对模板材料进行电子束或离子束刻蚀；(2)移除电子束曝光胶，将模板材料暴露出来，此时模板材料已被刻蚀成需要的形状；(3)从模板材料镂空处向下滴入氢氟酸溶液，溶解掉模板材料下面的二氧化硅薄膜，使二氧化硅薄膜在中间形成凹陷，方便后续将模板材料中心部分取出；(4)用聚二甲基硅氧烷探针将模板材料中心部分即模板取出。