[发明专利]纳米线晶体管元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510037261.5 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105895688B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 冯立伟;蔡世鸿;洪世芳;林昭宏;郑志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米线晶体管元件及其制作方法，该纳米线晶体管元件包含有一基底、多个形成于该基底上的纳米线、以及一环绕部分的各该纳米线的栅极。更重要的是，各该纳米线分别包含一第一半导体核心；以及一第二半导体核心。该第二半导体核心环绕该第一半导体核心，且该第二半导体核心的一晶格常数不同于该第一半导体核心的一晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线(nanowire)晶体管元件，包含有：基底；多个纳米线，形成于该基底上，且各该纳米线分别包含：第一半导体核心；以及第二半导体核心，该第二半导体核心环绕该第一半导体核心，且该第二半导体核心的一晶格常数(lattice constant)不同于该第一半导体核心的一晶格常数；以及栅极，环绕部分的各该纳米线。
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