[发明专利]一种分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法在审
| 申请号： | 201510037142.X | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104658901A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;刘锋;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，包括步骤：1)提供一衬底，在所述衬底表面生长一外延层；2)刻蚀所述外延层，形成具有第一深度的沟槽，在所述沟槽表面淀积氮化物层，之后腐蚀掉沟槽底部的氮化物层，保留侧壁的氮化物层；3)继续刻蚀所述沟槽底部的外延层材料至第二深度，并热生长氧化物层附着在未被氮化物层覆盖的沟槽侧壁及底部；4)在所述沟槽下部填充第一导电材料，去除侧壁上的氮化物层，在所述第一导电材料表面制作一层隔离层；5)生长栅氧化层，覆盖于沟槽上部裸露的侧壁上，并在沟槽上部填充满第二导电材料，形成上窄下宽的分裂栅型沟槽MOSFET。利用本发明的制备方法制备的器件结构可以获得更宽的源区面积，更大的源区接触孔，提升雪崩特性，还有助于增加沟槽密度，获得更低的RSP。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 沟槽 mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种分裂栅型沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供一衬底，在所述衬底表面生长一外延层；2)刻蚀所述外延层，形成具有第一深度的沟槽，在所述沟槽表面淀积氮化物层，之后腐蚀掉沟槽底部的氮化物层，保留侧壁的氮化物层；3)继续刻蚀所述沟槽底部的外延层材料至第二深度，并热生长氧化物层附着在未被氮化物层覆盖的沟槽侧壁及底部；4)在所述沟槽下部填充第一导电材料，去除侧壁上的氮化物层，在所述第一导电材料表面制作一层隔离层；5)生长栅氧化层，覆盖于沟槽上部裸露的侧壁上，并在沟槽上部填充满第二导电材料，形成上窄下宽的分裂栅型沟槽MOSFET。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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