[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510036944.9 | 申请日： | 2015-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105895707B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 山口隆志 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陶海萍;樊一槿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：衬底；形成在所述衬底中的P‑N结；形成在所述衬底表面的电极；其中，所述衬底中导入有重金属原子，并且，所述衬底与所述电极接触的区域、以及所述P‑N结的结区的所述重金属原子的浓度高于所述衬底中其它区域的所述重金属原子的浓度。根据本发明实施例，能够形成具有高开关速度和低正向电压Vf的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：/n衬底；/n形成在所述衬底中的P-N结；/n形成在所述衬底表面的电极；/n其中，所述衬底中按照1×10
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