[发明专利]一种基于金属网格和金属纳米线制备复合透明导电电极的方法有效
| 申请号: | 201510035791.6 | 申请日: | 2015-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN104681645A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
| 发明(设计)人: | 高进伟;彭强;韩兵;李若朋;陈晓鹏 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 宣国华 |
| 地址: | 510006 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种基于金属网格和金属纳米线制备复合透明导电电极的方法,包括以下步骤:(1)制备模板液;(2)制作牺牲层模板;(3)金属薄膜沉积;(4)去除牺牲层模板;(5)合成金属纳米线;(6)涂覆金属纳米线,制成复合透明导电电极。该方法制备的透明导电电极具有优异的光电性能和环境稳定性,同时有利于光电器件中电极与其它功能层的接触,且制备工艺简单,资源消耗低,不仅是传统金属氧化物电极的有利替代者,而且能提高太阳能电池效率和降低成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基于 金属 网格 纳米 制备 复合 透明 导电 电极 方法 | ||
【主权项】:
一种基于金属网格和金属纳米线制备复合透明导电电极的方法,其特征是包括以下步骤:(1)制备模板液:取大分子材料调制成溶胶,得模板液;(2)制作牺牲层模板:用模板液在衬底上均匀沉积一层牺牲层薄膜,并控制温度条件,使牺牲层薄膜自然龟裂形成龟裂的牺牲层模板;(3)金属薄膜沉积:在龟裂的牺牲层模板上沉积致密的金属薄膜;(4)去除牺牲层模板:将衬底上的牺牲层模板去除,在衬底上形成金属网格透明薄膜;(5)合成金属纳米线:用液相法合成高长径比的金属纳米线;(6)涂覆金属纳米线:在金属网格透明薄膜表面涂覆金属纳米线,形成复合透明导电电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





